Ниобаты и ванадаты и танталаты (C30B29/30)
C Химия; металлургия(326262)
C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L);
(2110)
C30B29 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C)
(1352)
C30B29/30 Ниобаты; ванадаты; танталаты(45)
Изобретение может быть использовано в медицине. Предложено применение сложного танталата редкоземельных элементов состава M1-x-yErxYbyTaO4, где 0,005≤х≤0,06, у=5х и М - по крайней мере один элемент, выбранный из группы: лантан, иттрий, гадолиний, неодим, самарий, европий, тербий, диспрозий, лютеций, в наноаморфном состоянии в качестве материала для визуализации биотканей.
Изобретение относится к технологии выращивания борсодержащих монокристаллов ниобата лития, близких к стехиометрическому составу, методом Чохральского, в частности к способам получения борсодержащих монокристаллов ниобата лития, близких к стехиометрическому составу.
Устройство для получения монокристаллов // 2749825
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов. Устройство 10 для получения монокристаллов β-Ga2O3 или LiTaO3 в окислительной атмосфере содержит основание 12, теплостойкий цилиндрический корпус 14 печи, размещенный выше основания 12, крышку 16a, или 16b, или 16c, закрывающую корпус 14 печи, нагреватель 20, размещенный внутри корпуса 14 печи, высокочастотную обмотку 22, нагревающую нагреватель 20 за счет высокочастотного индукционного нагрева, и тигель, нагретый нагревателем 20, причем нагреватель 20 содержит Pt-Rh-сплав, имеющий содержание Rh от 10 до 30 мас.% и имеет покрытие из оксида циркония на всей поверхности нагревателя.
Изобретение относится к технологии получения легированной бором шихты ниобата лития, которая может быть использована для выращивания оптически однородных монокристаллов ниобата лития, а также беспористой пьезоэлектрической керамики.
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, лазерных резонаторов, а также при юстировке оптических систем.
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к области изучения структуры оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов и материалов на их основе различной формы и состава в широком диапазоне линейных размеров и выявления дефектов методом травления.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов лантангаллиевого танталата алюминия, обладающего пьезоэлектрическим эффектом, используемым для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.
Способ включает воздействие на кристалл исходного импульсного поляризованного немонохроматического излучения коротковолнового инфракрасного диапазона для получения исходного импульсного поляризованного излучения коротковолнового инфракрасного диапазона и импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, выделение импульсного поляризованного излучения гармоники видимого диапазона, преобразование его в электрический сигнал, получение зависимости амплитуды электрического сигнала от длины волны импульсного поляризованного монохроматического излучения второй и суммарной гармоник, определение из нее длины волны 90-градусного синхронизма, по значению которого определяют мольное содержание Li2O в монокристалле LiNbO3.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов ниобата лития с бидоменной структурой, применяемых в устройствах нанотехнологии и микромеханики. .
Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой // 2485222
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с доменной структурой и может быть использовано при создании устройств позиционирования, акустоэлектроники, для модификации диэлектрических, пироэлектрических и оптических свойств.
Сложный танталат редкоземельных элементов // 2438983
Изобретение относится к новым химическим соединениям и может быть использовано в медицине, в частности к рентгенологии в качестве рентгеноконтрастного агента при рентгенологических исследованиях различных органов.
Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата // 2413041
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. .
Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, полученных из расплава методом Чохральского, и может быть использовано при поляризации сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, преимущественно танталата лития.
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. .
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов LiNbO3 стехиометрического состава, используемого в нелинейной оптике. .
Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах. .
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов. .
Изобретение относится к производству акустоэлектронных частотно-избирательных устройств на поверхностных акустических волнах. .
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с сформированной доменной структурой и может быть использовано при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, а также при юстировке оптических систем.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов. .
Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества. .
Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского.
Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского.
Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения.
Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов.
Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов ортониобата сурьмы (SbNbO4) и может быть использовано в пьезо- и пироэлектрической областях для создания различных электронных устройств в новой технике.
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике.
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающему возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов метаниобата лития, используемых в электронной технике.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов твердых растворов (Sbi-x Bix) Та04, которые могут быть использованы в пьезоэлектрической области. .
Изобретение относится к химическому синтезу монокристаллов на основе танталата калия-лития и может быть использовано в оптических затворах и модуляторах, а также в СВЧ-резонаторах. .
Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов сложных окислов из расплава и может быть использовано для получения кристаллов LiNbOs и Gda(Mo04)3. .
Изобретение относится к получению монокристаллов (SB<SB POS="POST">1-X</SB>BI<SB POS="POST">X</SB>) NBO<SB POS="POST">4</SB>, где X = 0,1 - 0,3, и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической технике, а также в химической технологии для создания композиционных материалов.
Травитель для ниобата бария-стронция // 1660407
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария-стронция. .
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов стибио-танталата калия и может быть использовано в пъезотехнике. .
Способ сухого травления ниобата лития // 1638222
Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития. .
Состав для травления // 1594222
Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. .
Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов. .
Способ травления кристаллов танталата лития // 1583478
Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии. .
Изобретение относится к технологии получения сегнетоэлектрических монокристаллов, которые могут быть использованы в пьезотехнике. .
Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава.
